FQP4N20L onsemi | Produtos semicondutores discretos

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FQP4N20L
Número de produto da DigiKey	FQP4N20L-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQP4N20L
Descrição	MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 3,8A (Tc) 45W (Tc) Furo passante TO-220-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FQP4N20L Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,35Ohm a 1,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	5.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	310 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	45W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	FQP4

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	1,50000 €	1,50 €
50	0,71780 €	35,89 €

Embalagem padrão do fabricante

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