FQPF8N80CYDTU onsemi | Produtos semicondutores discretos

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FQPF8N80CYDTU
Número de produto da DigiKey	488-FQPF8N80CYDTU-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQPF8N80CYDTU
Descrição	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 8A (Tc) 59W (Tc) Furo passante TO-220F-3 (estampagem em Y)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,55Ohm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2050 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	59W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220F-3 (estampagem em Y)
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3, condutores moldados
Número base de produto	FQPF8

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Obsoleto

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Quantidade

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
800	0,95541 €	764,33 €

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