Name: HGTD1N120BNS9A
Brand: onsemi
SKU: HGTD1N120BNS9ATR-ND
Price: 2.3985 EUR
Availability: InStock

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HGTD1N120BNS9A
Número de produto da DigiKey	HGTD1N120BNS9ATR-ND - Fita e carretel (TR) HGTD1N120BNS9ACT-ND - Fita cortada (CT) HGTD1N120BNS9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	HGTD1N120BNS9A
Descrição	IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	HGTD1N120BNS9A Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores IGBTs IGBTs individuais	Energia de chaveamento 70µJ (lig), 90µJ (desl)
Fabricante onsemi	Tipo de entrada Padrão
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Carga na porta 14 nC
Part Status Ativo	Td (on/off) a 25°C 15ns/67ns
Tipo de IGBT NPT	Condição de teste 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 1200 V	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 5.3 A	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Pulsada do coletor (Icm) 6 A	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Vce(on) (máx.) para Vge, Ic 2,9V a 15V, 1A	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Potência - Máx. 60 W	Número base de produto HGTD1N120