Name: HUF76629D3ST
Brand: onsemi
SKU: HUF76629D3STTR-ND
Price: 3.6777 EUR
Availability: InStock

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HUF76629D3ST
Número de produto da DigiKey	HUF76629D3STTR-ND - Fita e carretel (TR) HUF76629D3STCT-ND - Fita cortada (CT) HUF76629D3STDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	HUF76629D3ST
Descrição	MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	UltraFET™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	52mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1285 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	110W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	HUF76629