Name: MJD122T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD122T4GOSTR-ND
Price: 1.5129 EUR
Availability: InStock

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MJD122T4G
Número de produto da DigiKey	MJD122T4GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) MJD122T4GOSCT-ND - Fita cortada (CT) MJD122T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	MJD122T4G
Descrição	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar (BJT) NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	MJD122T4G Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares individuais	Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce 1000 a 4A, 4V
Fabricante onsemi	Potência - Máx. 1.75 W
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Frequência - Transição 4MHz
Part Status Ativo	Temperatura de operação -65°C a 150°C (TJ)
Tipo de transistor NPN - Darlington	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 8 A	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido DPAK
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic 4V a 80mA, 8A	Número base de produto MJD122
Corrente - Corte do coletor (máx.) 10µA