Name: MJD31CT4G
Brand: onsemi
SKU: MJD31CT4GOSTR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: InStock

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MJD31CT4G
Número de produto da DigiKey	MJD31CT4GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) MJD31CT4GOSCT-ND - Fita cortada (CT) MJD31CT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	MJD31CT4G
Descrição	TRANS NPN 100V 3A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar (BJT) NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares individuais	Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce 10 a 3A, 4V
Fabricante onsemi	Potência - Máx. 1.56 W
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Frequência - Transição 3MHz
Part Status Ativo	Temperatura de operação -65°C a 150°C (TJ)
Tipo de transistor NPN	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 3 A	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido DPAK
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic 1,2V a 375mA, 3A	Número base de produto MJD31
Corrente - Corte do coletor (máx.) 50µA