Name: NSS12501UW3T2G
Brand: onsemi
SKU: NSS12501UW3T2GOSTR-ND
Price: 1.4883 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NSS12501UW3T2G
Número de produto da DigiKey	NSS12501UW3T2GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NSS12501UW3T2GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NSS12501UW3T2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NSS12501UW3T2G
Descrição	TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar (BJT) NPN 12 V 5 A 150MHz 875 mW Montagem em superfície 3-WDFN (2x2)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NSS12501UW3T2G Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares individuais	Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce 200 a 2A, 2V
Fabricante onsemi	Potência - Máx. 875 mW
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Frequência - Transição 150MHz
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de transistor NPN	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 5 A	Pacote / Invólucro 3-WDFN pad exposto
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 12 V	Invólucro do dispositivo fornecido 3-WDFN (2x2)
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic 120mV a 400mA, 4A	Número base de produto NSS12501
Corrente - Corte do coletor (máx.) 100nA (ICBO)