Name: NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: NSS40302PDR2GOSTR-ND
Price: 1.9188 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NSS40302PDR2G
Número de produto da DigiKey	NSS40302PDR2GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NSS40302PDR2GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NSS40302PDR2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NSS40302PDR2G
Descrição	TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata de transistor bipolar (BJT) 1 NPN, 1 PNP 40V 3A 100MHz 653mW Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NSS40302PDR2G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Matrizes de transistores bipolares
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de transistor	1 NPN, 1 PNP
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	3A
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	40V
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic	115mV a 200mA, 2A
Corrente - Corte do coletor (máx.)	100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce	180 a 1A, 2V
Potência - Máx.	653mW
Frequência - Transição	100MHz
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Número base de produto	NSS40302