NSVEMD4DXV6T5G onsemi | Matrizes de transistores bipolares, pré-polarizados

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NSVEMD4DXV6T5G
Número de produto da DigiKey	2156-NSVEMD4DXV6T5G-488-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NSVEMD4DXV6T5G
Descrição	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar pré-polarizado (BJT) 1 NPN, 1 PNP - pré-polarizado 50V 100mA 357mW Montagem em superfície SOT-563
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Matrizes de transistores bipolares, pré-polarizados	Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Fabricante onsemi	Corrente - Corte do coletor (máx.) 500nA
Embalagem Granel	Potência - Máx. 357mW
Part Status Ativo	Grau Automotivo
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - pré-polarizado	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 100mA	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 50V	Pacote / Invólucro SOT-563, SOT-666
Resistor - Base (R1) 47kOhm	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-563
Resistor - Emissor Base (R2) 47kOhm	Número base de produto EMD4
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce 80 a 5mA, 10V