Name: NSVMUN5312DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVMUN5312DW1T3GTR-ND
Price: 0.2952 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NSVMUN5312DW1T3G
Número de produto da DigiKey	488-NSVMUN5312DW1T3GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NSVMUN5312DW1T3GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NSVMUN5312DW1T3GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NSVMUN5312DW1T3G
Descrição	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Tempo de espera previsto do fabricante	43 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar pré-polarizado (BJT) 1 NPN, 1PNP - Pré-polarizado (duplo) 50V 100mA 250mW Montagem em superfície SC-88/SC70-6/SOT-363
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NSVMUN5312DW1T3G Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Matrizes de transistores bipolares, pré-polarizados	Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic 250mV a 300µA, 10mA
Fabricante onsemi	Corrente - Corte do coletor (máx.) 500nA
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 250mW
Part Status Ativo	Grau Automotivo
Tipo de transistor 1 NPN, 1PNP - Pré-polarizado (duplo)	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 100mA	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 50V	Pacote / Invólucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistor - Base (R1) 22kOhm	Invólucro do dispositivo fornecido SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emissor Base (R2) 22kOhm	Número base de produto MUN5312
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce 60 a 5mA, 10V

Relatar erro de informações do produto

Documentos e mídia

Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Em estoque: 30

Verifique se há estoque adicional de entrada

Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®