Name: NTB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NTB082N65S3FOSTR-ND
Price: 11.2914 EUR
Availability: InStock

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NTB082N65S3F
Número de produto da DigiKey	NTB082N65S3FOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTB082N65S3FOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTB082N65S3F
Descrição	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTB082N65S3F Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 4mA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 81 nC @ 10 V
Séries SuperFET® III	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3410 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 313W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto NTB082
Rds on (máx.) para Id, Vgs 82mOhm a 20A, 10V