Name: NTBG020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG020N090SC1TR-ND
Price: 30.258 EUR
Availability: InStock

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NTBG020N090SC1
Número de produto da DigiKey	5556-NTBG020N090SC1TR-ND - Fita e carretel (TR) 5556-NTBG020N090SC1CT-ND - Fita cortada (CT) 5556-NTBG020N090SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTBG020N090SC1
Descrição	SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 900 V 9,8A (Ta), 112A (Tc) 3,7W (Ta), 477W (Tc) Montagem em superfície D2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTBG020N090SC1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	900 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,8A (Ta), 112A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	28mOhm a 60A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 20mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	200 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	+19V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4415 pF @ 450 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,7W (Ta), 477W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	NTBG020