Name: NTBG040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG040N120M3STR-ND
Price: 11.7834 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTBG040N120M3S
Número de produto da DigiKey	5556-NTBG040N120M3STR-ND - Fita e carretel (TR) 5556-NTBG040N120M3SCT-ND - Fita cortada (CT) 5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTBG040N120M3S
Descrição	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Montagem em superfície D2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,4V a 10mA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 75 nC @ 18 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -10V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1700 pF @ 800 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 263W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 57A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido D2PAK-7
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Rds on (máx.) para Id, Vgs 54mOhm a 20A, 18V	Número base de produto NTBG040