Name: NTBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG080N120SC1TR-ND
Price: 14.0712 EUR
Availability: InStock

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NTBG080N120SC1
Número de produto da DigiKey	5556-NTBG080N120SC1TR-ND - Fita e carretel (TR) 5556-NTBG080N120SC1CT-ND - Fita cortada (CT) 5556-NTBG080N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTBG080N120SC1
Descrição	SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Tempo de espera previsto do fabricante	15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Montagem em superfície D2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	110mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1154 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	179W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	NTBG080