NTBG1000N170M1 onsemi | Produtos semicondutores discretos

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NTBG1000N170M1
Número de produto da DigiKey	5556-NTBG1000N170M1TR-ND - Fita e carretel (TR) 5556-NTBG1000N170M1CT-ND - Fita cortada (CT) 5556-NTBG1000N170M1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTBG1000N170M1
Descrição	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1700 V 4,3A (Tc) 51W (Tc) Montagem em superfície D2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Descontinuado na Digi-Key
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1700 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,43Ohm a 2A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 640µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	150 pF @ 1000 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	51W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA

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