Name: NTF2955T1G
Brand: onsemi
SKU: NTF2955T1GOSTR-ND
Price: 1.8204 EUR
Availability: InStock

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NTF2955T1G
Número de produto da DigiKey	NTF2955T1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTF2955T1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTF2955T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTF2955T1G
Descrição	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 1,7A (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície SOT-223 (TO-261)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTF2955T1G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	185mOhm a 2,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	492 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 155°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-223 (TO-261)
Pacote / Invólucro	TO-261-4, TO-261AA
Número base de produto	NTF2955

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