
NTHD4102PT1G | |
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Número de produto da DigiKey | NTHD4102PT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTHD4102PT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTHD4102PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NTHD4102PT1G |
Descrição | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 16 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 20V 2,9A 1,1W Montagem em superfície ChipFET™ |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | NTHD4102PT1G Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais P (duplo) | |
Característica FET | Porta de nível lógico | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 2,9A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 80mOhm a 2,9A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 8,6nC a 4,5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 750pF a 16V | |
Potência - Máx. | 1,1W | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SMD, condutores planos | |
Invólucro do dispositivo fornecido | ChipFET™ | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,35000 € | 1,35 € |
| 10 | 0,85200 € | 8,52 € |
| 100 | 0,56800 € | 56,80 € |
| 500 | 0,44612 € | 223,06 € |
| 1 000 | 0,40691 € | 406,91 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,35711 € | 1 071,33 € |
| 6 000 | 0,33205 € | 1 992,30 € |
| 9 000 | 0,32151 € | 2 893,59 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,35000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,66050 € |










