NTHL1000N170M1 onsemi | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTHL1000N170M1
Número de produto da DigiKey	5556-NTHL1000N170M1-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTHL1000N170M1
Descrição	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1700 V 4,2A (Tc) 48W Furo passante TO-247-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1700 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,43Ohm a 2A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 640µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	150 pF @ 1000 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	48W
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-3
Pacote / Invólucro	TO-247-3