8 SOIC
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTMD4820NR2G

Número de produto da DigiKey
NTMD4820NR2GOSTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
onsemi
Número de produto do fabricante
NTMD4820NR2G
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 30V 4,9A 750mW Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
NTMD4820NR2G Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Part Status
Ativo
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Configuração
2 canais N (duplo)
Característica FET
Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
4,9A
Rds on (máx.) para Id, Vgs
20mOhm a 7,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
7,7nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
940pF a 15V
Potência - Máx.
750mW
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido
8-SOIC
Número base de produto
NTMD4820
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