Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 4.8831 EUR
Availability: InStock

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NTMFS3D2N10MDT1G
Número de produto da DigiKey	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMFS3D2N10MDT1G
Descrição	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Tempo de espera previsto do fabricante	48 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTMFS3D2N10MDT1G Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 316µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 71.3 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3900 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,8W (Ta), 155W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 19A (Ta), 142A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8, 5 condutores
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,5mOhm a 50A, 10V	Número base de produto NTMFS3

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Quantidade

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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

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Fita e carretel (TR)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1 500	1,29493 €	1 942,39 €

Embalagem padrão do fabricante

Preço unitário sem VAT:	3,97000 €
Preço unitário com VAT:	4,88310 €

NTMFS3D2N10MDT1G