Name: NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFWS1D5N08XT1GTR-ND
Price: 4.2189 EUR
Availability: InStock

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NTMFWS1D5N08XT1G
Número de produto da DigiKey	488-NTMFWS1D5N08XT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTMFWS1D5N08XT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTMFWS1D5N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMFWS1D5N08XT1G
Descrição	MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 253A (Tc) 194W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,6V a 330µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 83 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5880 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 194W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 253A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8, 5 condutores
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,43mOhm a 50A, 10V