Name: NTMTS0D7N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND
Price: 5.3751 EUR
Availability: InStock

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NTMTS0D7N06CLTXG
Número de produto da DigiKey	488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTMTS0D7N06CLTXGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTMTS0D7N06CLTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMTS0D7N06CLTXG
Descrição	MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Tempo de espera previsto do fabricante	43 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 62,2A (Ta), 477A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) Montagem em superfície 8-DFNW (8,3x8,4)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTMTS0D7N06CLTXG Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 225 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 16200 pF @ 25 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 294,6W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 62,2A (Ta), 477A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-DFNW (8,3x8,4)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,68mOhm a 50A, 10V	Número base de produto NTMTS0