NTMYS1D3N04CTWG onsemi | FET simples, MOSFETs

NTMYS1D3N04CTWG
Número de produto da DigiKey	488-NTMYS1D3N04CTWG-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMYS1D3N04CTWG
Descrição	POWER MOSFET, SINGLE N-CHANNEL,
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3,9W (Ta), 134W (Tc) Montagem em superfície LFPAK4 (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	43A (Ta), 252A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,15mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 180µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4855 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,9W (Ta), 134W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK4 (5x6)
Pacote / Invólucro	SOT-1023, 4-LFPAK

NTMYS1D3N04CTWG