Name: NTR1P02T1G
Brand: onsemi
SKU: NTR1P02T1GOSTR-ND
Price: 0.5289 EUR
Availability: InStock

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NTR1P02T1G
Número de produto da DigiKey	NTR1P02T1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTR1P02T1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTR1P02T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTR1P02T1G
Descrição	MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Tempo de espera previsto do fabricante	31 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTR1P02T1G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	180mOhm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	2.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	165 pF @ 5 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	400mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	NTR1P02

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