Canal N 20 V 4A (Ta) 820mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTR3161NT3G

Número de produto da DigiKey
488-NTR3161NT3G-ND
Fabricante
onsemi
Número de produto do fabricante
NTR3161NT3G
Descrição
20 V, 4.0 A, 50 MOHM SINGLE N-CH
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 20 V 4A (Ta) 820mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
50mOhm a 3,3A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id
1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
7.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
540 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
820mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Perguntas e respostas sobre o produto

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