
NTTFD1D8N02P1E | |
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Número de produto da DigiKey | 488-NTTFD1D8N02P1E-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NTTFD1D8N02P1E |
Descrição | MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE |
Tempo de espera previsto do fabricante | 41 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta) 900mW (Tc) Montagem em superfície PQFN-8 (3,3x3,3) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,2mOhm a 15A, 10V, 1,4mOhm a 29A, 10V |
Fabricante onsemi | Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 190µA, 2V a 310µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 5,5nC a 4,5V, 17nC a 4,5V |
Embalagem Granel | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 873pF a 15V, 2700pF a 15V |
Part Status Ativo | Potência - Máx. 800mW (Ta) 900mW (Tc) |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Configuração 2 canais N assimétricos (duplo) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25V | Pacote / Invólucro PowerWDFN-8 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11A (Ta), 21A (Ta) | Invólucro do dispositivo fornecido PQFN-8 (3,3x3,3) |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,91000 € | 1,91 € |
| 10 | 1,22400 € | 12,24 € |
| 100 | 0,83190 € | 83,19 € |
| 500 | 0,66412 € | 332,06 € |
| 1 000 | 0,61018 € | 610,18 € |
| 3 000 | 0,54171 € | 1 625,13 € |
| 6 000 | 0,52375 € | 3 142,50 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,91000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 2,34930 € |


