Name: NTZS3151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZS3151PT1GOSTR-ND
Price: 0.4182 EUR
Availability: InStock

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NTZS3151PT1G
Número de produto da DigiKey	NTZS3151PT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTZS3151PT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTZS3151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTZS3151PT1G
Descrição	MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Montagem em superfície SOT-563
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	860mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	150mOhm a 950mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	458 pF @ 16 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	170mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-563
Pacote / Invólucro	SOT-563, SOT-666
Número base de produto	NTZS3151

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