Name: NVD5C688NLT4G
Brand: onsemi
SKU: NVD5C688NLT4GOSTR-ND
Price: 2.5584 EUR
Availability: InStock

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NVD5C688NLT4G
Número de produto da DigiKey	NVD5C688NLT4GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NVD5C688NLT4GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NVD5C688NLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVD5C688NLT4G
Descrição	MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	50 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 17A (Tc) 18W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NVD5C688NLT4G Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3.4 nC @ 4.5 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±16V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 400 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 18W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 17A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido DPAK
Rds on (máx.) para Id, Vgs 27,4mOhm a 10A, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Vgs(th) (máx.) para Id 2,1V a 250µA	Número base de produto NVD5C688