Name: NVMFS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR-ND
Price: 4.8708 EUR
Availability: OutOfStock

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Renesas Electronics Corporation

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NVMFS3D6N10MCLT1G
Número de produto da DigiKey	488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMFS3D6N10MCLT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMFS3D6N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFS3D6N10MCLT1G
Descrição	MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	45 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 19A (Ta), 132A (Tc) 3W (Ta), 139W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 60 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4411 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 139W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 19A (Ta), 132A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,6mOhm a 48A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8, 5 condutores
Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 270µA	Número base de produto NVMFS3