Name: NVMTS0D7N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS0D7N06CTXGTR-ND
Price: 11.931 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NVMTS0D7N06CTXG
Número de produto da DigiKey	488-NVMTS0D7N06CTXGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMTS0D7N06CTXGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMTS0D7N06CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMTS0D7N06CTXG
Descrição	MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 60,5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) Montagem em superfície 8-DFNW (8,3x8,4)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60,5A (Ta), 464A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,72mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	11535 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	5W (Ta), 294,6W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-DFNW (8,3x8,4)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	NVMTS0