Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 7.4661 EUR
Availability: InStock

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NVMTS1D2N08H
Número de produto da DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMTS1D2N08H
Descrição	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Montagem em superfície 8-DFNW (8,3x8,4)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NVMTS1D2N08H Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	43,5A (Ta), 337A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,1mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 590µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	10100 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	5W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-DFNW (8,3x8,4)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	NVMTS1