Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 7.8597 EUR
Availability: InStock

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NVMTS1D2N08H
Número de produto da DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMTS1D2N08H
Descrição	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Tempo de espera previsto do fabricante	33 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Montagem em superfície 8-DFNW (8,3x8,4)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NVMTS1D2N08H Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 147 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 10100 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 300W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 43,5A (Ta), 337A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,1mOhm a 90A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 590µA	Número base de produto NVMTS1