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Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH010P120MNF1PG

Número de produto da DigiKey
5556-NXH010P120MNF1PG-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NXH010P120MNF1PG
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Tempo de espera previsto do fabricante
17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Montagem em chassis
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
2 canais N com fonte comum (duplo)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
114A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
14mOhm a 100A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,3V a 40mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
454nC a 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4707pF a 800V
Potência - Máx.
250W (Tj)
Temperatura de operação
-40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
-
Número base de produto
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