NXH020F120MNF1PG
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NXH020F120MNF1PG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH020F120MNF1PG

Número de produto da DigiKey
5556-NXH020F120MNF1PG-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NXH020F120MNF1PG
Descrição
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Tempo de espera previsto do fabricante
17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 51A (Tc) 119W (Tj) Montagem em chassis 22-PIM (33,8x42,5)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
4 canais N (ponte completa)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
51A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
30mOhm a 50A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,3V a 20mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
213,5nC a 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2420pF a 800V
Potência - Máx.
119W (Tj)
Temperatura de operação
-40°C a 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
22-PIM (33,8x42,5)
Número base de produto
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1112,19000 €112,19 €
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