Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NXH020P120MNF1PTG

Número de produto da DigiKey
5556-NXH020P120MNF1PTG-ND
Fabricante
onsemi
Número de produto do fabricante
NXH020P120MNF1PTG
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Tempo de espera previsto do fabricante
17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 51A (Tc) 119W (Tj) Montagem em chassis
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
51A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
30mOhm a 50A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,3V a 20mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
213,5nC a 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2420pF a 800V
Potência - Máx.
119W (Tj)
Temperatura de operação
-40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
-
Número base de produto
NXH020
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Quantidade
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2890,64536 €2 538,07 €
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