NXH008P120M3F1PG
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NXH030F120M3F1PTG

Número de produto da DigiKey
5556-NXH030F120M3F1PTG-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NXH030F120M3F1PTG
Descrição
MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Tempo de espera previsto do fabricante
19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 38A (Tc) 100W (Tj) Montagem em chassis 22-PIM (33,8x42,5)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
4 canais N (ponte completa)
Característica FET
Modo de Depleção
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
38A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
38,5mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,4V a 15mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
110nC a 18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2246pF a 800V
Potência - Máx.
100W (Tj)
Temperatura de operação
-40°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
22-PIM (33,8x42,5)
Número base de produto
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Bandeja
Quantidade Preço unitário Preço total
162,53000 €62,53 €
2848,39821 €1 355,15 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário com VAT:76,91190 €