
NXH030F120M3F1PTG | |
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Número de produto da DigiKey | 5556-NXH030F120M3F1PTG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NXH030F120M3F1PTG |
Descrição | MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM |
Tempo de espera previsto do fabricante | 19 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 38A (Tc) 100W (Tj) Montagem em chassis 22-PIM (33,8x42,5) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N (ponte completa) | |
Característica FET | Modo de Depleção | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 38A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 38,5mOhm a 30A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,4V a 15mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 110nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2246pF a 800V | |
Potência - Máx. | 100W (Tj) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 22-PIM (33,8x42,5) | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 62,53000 € | 62,53 € |
| 28 | 48,39821 € | 1 355,15 € |
| Preço unitário sem VAT: | 62,53000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 76,91190 € |


