PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PJD1NA50_L2_00001
Número de produto da DigiKey	3757-PJD1NA50_L2_00001TR-ND - Fita e carretel (TR) 3757-PJD1NA50_L2_00001CT-ND - Fita cortada (CT) 3757-PJD1NA50_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de produto do fabricante	PJD1NA50_L2_00001
Descrição	500V N-CHANNEL MOSFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 1A (Ta) 25W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Panjit International Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	95 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	25W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	PJD1NA50