NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Produtos semicondutores discretos

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NP88N03KDG-E1-AY
Número de produto da DigiKey	NP88N03KDG-E1-AYTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	NP88N03KDG-E1-AY
Descrição	MOSFET N-CH 30V 88A TO263
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 88A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Montagem em superfície TO-263
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NP88N03KDG-E1-AY Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	88A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,4mOhm a 44A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	13500 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB