Name: RJK0332DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0332DPB-01#J0TR-ND
Price: 2.8413 EUR
Availability: InStock

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RJK0332DPB-01#J0
Número de produto da DigiKey	RJK0332DPB-01#J0TR-ND - Fita e carretel (TR) RJK0332DPB-01#J0CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	RJK0332DPB-01#J0
Descrição	MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 35A (Ta) 45W (Tc) Montagem em superfície LFPAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	35A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,7mOhm a 17,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2180 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	45W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK
Pacote / Invólucro	SC-100, SOT-669
Número base de produto	RJK0332