RJK2511DPK-00#T0 Renesas Electronics Corporation | FET simples, MOSFETs

RJK2511DPK-00#T0
Número de produto da DigiKey	RJK2511DPK-00#T0-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	RJK2511DPK-00#T0
Descrição	MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 250 V 65A (Ta) 200W (Tc) Furo passante TO-3P
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RJK2511DPK-00#T0 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	250 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	65A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	34mOhm a 32,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	-
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4900 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	200W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-3P
Pacote / Invólucro	TO-3P-3, SC-65-3
Número base de produto	RJK2511

RJK2511DPK-00#T0