Name: TP65H030G4PRS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PRS-TR-ND
Price: 11.1315 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Montagem em superfície TOLT

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TP65H030G4PRS-TR
Número de produto da DigiKey	1707-TP65H030G4PRS-TR-ND - Fita e carretel (TR) 1707-TP65H030G4PRS-TRCT-ND - Fita cortada (CT) 1707-TP65H030G4PRS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	TP65H030G4PRS-TR
Descrição	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLT
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Montagem em superfície TOLT
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,8V a 1mA
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 24.5 nC @ 12 V
Séries SuperGaN®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1500 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 192W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (Cascode FET de nitreto de gálio)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido TOLT
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 55,7A (Tc)	Pacote / Invólucro Módulo 16-PowerSOP
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V	Número base de produto TP65H030
Rds on (máx.) para Id, Vgs 41mOhm a 30A, 12V