TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Produtos semicondutores discretos

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TP65H035G4WSQA
Número de produto da DigiKey	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	TP65H035G4WSQA
Descrição	650 V 46.5 GAN FET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Furo passante TO-247-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	47,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	41mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,8V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1500 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	187W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-3
Pacote / Invólucro	TO-247-3

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	17,38000 €	17,38 €
30	10,92667 €	327,80 €

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