Name: TP65H070LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070LSG-TR-ND
Price: 16.1622 EUR
Availability: InStock

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TP65H070LSG-TR
Número de produto da DigiKey	1707-TP65H070LSG-TR-ND - Fita e carretel (TR) 1707-TP65H070LSG-CT-ND - Fita cortada (CT) 1707-TP65H070LSG-DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	TP65H070LSG-TR
Descrição	GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Montagem em superfície PQFN-3 (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 85mOhm a 16A, 10V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (máx.) para Id 4,8V a 700µA
Séries TP65H070L	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 9.3 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 600 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 96W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 25A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PQFN-3 (8x8)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro PowerDFN-3