TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TP90H050WS
Número de produto da DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	TP90H050WS
Descrição	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Furo passante TO-247-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (Cascode FET de nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	900 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	34A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	63mOhm a 22A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,4V a 700µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	980 pF @ 600 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	119W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-3
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	TP90H050