TPH3208PD Renesas Electronics Corporation | FET simples, MOSFETs

TPH3208PD está obsoleto e não é mais fabricado.

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STMicroelectronics

Em estoque: 1 496

Preço unitário : 4,43000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TPH3208PD
Número de produto da DigiKey	TPH3208PD-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	TPH3208PD
Descrição	GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,6V a 300µA
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 14 nC @ 8 V
Embalagem Tubo	Vgs (máx.) ±18V
Part Status Obsoleto	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 760 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 96W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Temperatura de operação -55°C a 150°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 20A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-220AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-220-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 130mOhm a 13A, 8V