FCP650N80Z onsemi | Produtos semicondutores discretos

FCP650N80Z
cms-digikey-product-number	FCP650N80Z-ND
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	FCP650N80Z
cms-description	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Furo passante TO-220
Ficha técnica	Ficha técnica
cms-eda-cad-models	FCP650N80Z Modelos

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cms-category	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	SuperFET® II
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	650mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 800µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1565 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	162W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	FCP650