Canal N 200 V 11,8A (Tc) 50W (Tc) Furo passante TO-220F-3
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FQPF19N20

Número de produto da DigiKey
2156-FQPF19N20-ND
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Número de produto do fabricante
FQPF19N20
Descrição
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 200 V 11,8A (Tc) 50W (Tc) Furo passante TO-220F-3
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Séries
QFET®
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
11,8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
150mOhm a 5,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1600 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220F-3
Pacote / Invólucro
Pacote completo TO-220-3
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