IPAW70R950CEXKSA1 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

IPAW70R950CEXKSA1 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Em estoque: 997

Preço unitário : 2,04000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPAW70R950CEXKSA1
Número de produto da DigiKey	IPAW70R950CEXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPAW70R950CEXKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 700 V 7,4A (Tc) 68W (Tc) Furo passante PG-TO220-3-FP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ CE
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	700 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	950mOhm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 150µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	328 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	68W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3-FP
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	IPAW70