IPP80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

IPP80N06S4L07AKSA2 está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPP80N06S4L07AKSA2
Número de produto da DigiKey	IPP80N06S4L07AKSA2-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP80N06S4L07AKSA2
Descrição	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Furo passante PG-TO220-3-1
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,7mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 40µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5680 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	79W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3-1
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IPP80N