Name: AG532EES4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG532EES4FRATCBTR-ND
Price: 2.5215 EUR
Availability: OutOfStock

Novo na DigiKey

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AG532EES4FRATCB
Número de produto da DigiKey	846-AG532EES4FRATCBTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-AG532EES4FRATCBCT-ND - Fita cortada (CT) 846-AG532EES4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	AG532EES4FRATCB
Descrição	PCH -30V -85A, HPLF5060T5LSAH, P
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 85A (Tc) 75W (Tc) Montagem em superfície HPLF5060T5LSAH
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 38 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) +5V, -20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1840 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 75W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 85A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido HPLF5060T5LSAH
Rds on (máx.) para Id, Vgs 10,3mOhm a 10A, 10V	Pacote / Invólucro SC-100, SOT-669
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 2,5mA