Name: BSM080D12P2C008
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM080D12P2C008-ND
Price: 338.619 EUR
Availability: OutOfStock

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BSM080D12P2C008
Número de produto da DigiKey	BSM080D12P2C008-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	BSM080D12P2C008
Descrição	MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSM080D12P2C008 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Bandeja
Part Status	Ativo
Tecnologia	Carboneto de silício (SiC)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	80A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 13,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	800pF a 10V
Potência - Máx.	600W
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em chassis
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	Módulo
Número base de produto	BSM080

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